无催化剂碳热还原法制备SiC@SiO2纳米电缆

• 作者: 刘光华 孙思源 崔巍 张杰 田兆波 陈克新
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 纳米电缆 碳热还原 无催化剂
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1217-1221
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 1127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20190028

摘要

SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料,以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注.因此,开发一种有效、经济、方便,SiC@SiO2纳米电缆的制备方法具有重要意义.本研究采用无催化剂的碳热还原法在1500℃的Ar气氛下,通过加热硅粉和硅溶胶混合物从而快速高效地制备了SiC@SiO2纳米电缆.该核壳的纳米电缆是由单晶 β-SiC核心和无定形SiO2壳组成,其长度达几百微米,直径为60～80 nm,而且通过调节保温时间可以调控核壳的尺寸.结合实验数据并依据气–固(VS)机理解释了SiC@SiO2纳米电缆的形成过程,同时也进一步丰富了该生长机制,为其工业化生产提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张杰	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	125	1533	20.0	35.0
2	陈克新	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	43	365	11.0	16.0
3	崔巍	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	11	50	4.0	7.0
4	刘光华	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	10	68	4.0	8.0
5	田兆波	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	孙思源	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	2	0	0.0	0.0