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全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究
全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究
作者:
代艳南
单永奎
杨帅
杨帆
沈阳
赵庆彪
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
固相合成
荧光
钨酸盐
稀土
内量子效率
摘要:
黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用.在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb3+/Eu3+或Tb3+/Sm3+,从而获得较强的黄光发射.由于Gd3+的有效激发通常在深紫外区,在Gd2W3O12中并不会被382 nm的紫外光激发,因此Gd3+对Tb3+/Eu3+、Tb3+/Sm3+共掺杂的黄光发射并无影响.而Tb3+与Gd3+具有相似的离子半径,Tb3+在全浓度范围内可以对Gd3+进行取代.当Tb3+离子掺杂浓度为75mol%时,该体系绿光的发射强度达到最强,对应的内量子产率(IQE)为37.6%.在最佳Tb3+掺杂浓度下,通过引入可以被近紫外光有效激发的Eu3+或Sm3+,在Gd2W3O12基质中实现Tb3+/Eu3+或Tb3+/Sm3+共同掺杂,得到了高亮度的黄色发光,IQE分别达到39.6%和47.8%.利用制备的Gd0.494Tb1.5Eu0.006W3O12和Gd0.494Tb1.5Sm0.006W3O12黄光荧光粉与NUV-蓝色芯片成功组装了W-LED器件.由此可见,Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉有望用于组装W-LED器件.此外,全范围掺杂法可用于其他体系以获得高效的荧光粉.
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篇名
全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究
来源期刊
无机材料学报
学科
工学
关键词
固相合成
荧光
钨酸盐
稀土
内量子效率
年,卷(期)
2019,(11)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
1210-1216
页数
7页
分类号
TQ174
字数
1662字
语种
中文
DOI
10.15541/jim20180522
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1
杨帆
华东师范大学化学与分子工程学院
62
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单永奎
华东师范大学化学与分子工程学院
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代艳南
华东师范大学化学与分子工程学院
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内量子效率
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无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
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8
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61689
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