全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究

• 作者: 代艳南 单永奎 杨帅 杨帆 沈阳 赵庆彪
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固相合成 荧光 钨酸盐 稀土 内量子效率
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1210-1216
• 页数: 7页
• 分类号: TQ174
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20180522

摘要

黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用.在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb3+/Eu3+或Tb3+/Sm3+,从而获得较强的黄光发射.由于Gd3+的有效激发通常在深紫外区,在Gd2W3O12中并不会被382 nm的紫外光激发,因此Gd3+对Tb3+/Eu3+、Tb3+/Sm3+共掺杂的黄光发射并无影响.而Tb3+与Gd3+具有相似的离子半径,Tb3+在全浓度范围内可以对Gd3+进行取代.当Tb3+离子掺杂浓度为75mol％时,该体系绿光的发射强度达到最强,对应的内量子产率(IQE)为37.6％.在最佳Tb3+掺杂浓度下,通过引入可以被近紫外光有效激发的Eu3+或Sm3+,在Gd2W3O12基质中实现Tb3+/Eu3+或Tb3+/Sm3+共同掺杂,得到了高亮度的黄色发光,IQE分别达到39.6％和47.8％.利用制备的Gd0.494Tb1.5Eu0.006W3O12和Gd0.494Tb1.5Sm0.006W3O12黄光荧光粉与NUV-蓝色芯片成功组装了W-LED器件.由此可见,Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉有望用于组装W-LED器件.此外,全范围掺杂法可用于其他体系以获得高效的荧光粉.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帆	华东师范大学化学与分子工程学院	62	487	11.0	20.0
2	单永奎	华东师范大学化学与分子工程学院	42	334	10.0	16.0
3	代艳南	华东师范大学化学与分子工程学院	1	0	0.0	0.0
4	杨帅	华东师范大学化学与分子工程学院	1	0	0.0	0.0