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摘要:
黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用.在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb3+/Eu3+或Tb3+/Sm3+,从而获得较强的黄光发射.由于Gd3+的有效激发通常在深紫外区,在Gd2W3O12中并不会被382 nm的紫外光激发,因此Gd3+对Tb3+/Eu3+、Tb3+/Sm3+共掺杂的黄光发射并无影响.而Tb3+与Gd3+具有相似的离子半径,Tb3+在全浓度范围内可以对Gd3+进行取代.当Tb3+离子掺杂浓度为75mol%时,该体系绿光的发射强度达到最强,对应的内量子产率(IQE)为37.6%.在最佳Tb3+掺杂浓度下,通过引入可以被近紫外光有效激发的Eu3+或Sm3+,在Gd2W3O12基质中实现Tb3+/Eu3+或Tb3+/Sm3+共同掺杂,得到了高亮度的黄色发光,IQE分别达到39.6%和47.8%.利用制备的Gd0.494Tb1.5Eu0.006W3O12和Gd0.494Tb1.5Sm0.006W3O12黄光荧光粉与NUV-蓝色芯片成功组装了W-LED器件.由此可见,Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉有望用于组装W-LED器件.此外,全范围掺杂法可用于其他体系以获得高效的荧光粉.
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文献信息
篇名 全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究
来源期刊 无机材料学报 学科 工学
关键词 固相合成 荧光 钨酸盐 稀土 内量子效率
年,卷(期) 2019,(11) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1210-1216
页数 7页 分类号 TQ174
字数 1662字 语种 中文
DOI 10.15541/jim20180522
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨帆 华东师范大学化学与分子工程学院 62 487 11.0 20.0
2 单永奎 华东师范大学化学与分子工程学院 42 334 10.0 16.0
3 代艳南 华东师范大学化学与分子工程学院 1 0 0.0 0.0
4 杨帅 华东师范大学化学与分子工程学院 1 0 0.0 0.0
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无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
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