累积总吸收剂量对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响

• 作者: 刘岩 刘敏波 李俊霖 李瑞宾 贺朝会 齐超
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 累积总吸收剂量 SRAM 瞬时剂量率翻转效应 “反印记效应”
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN431|TN792
• 字数: 3409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.020601

摘要

为研究累积总剂量辐照对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响,选取特征尺寸为180 nm的商用SRAM在60Co γ辐射源及“强光一号”加速器上进行了累积总剂量效应与瞬时剂量率效应的实验研究.实验结果表明,在累积总吸收剂量分别为100 krad(Si)和150 krad(Si)时,180 nm SRAM瞬时剂量率翻转对累积总剂量辐照实验过程中的写入数据都表现出“反印记效应”依赖性,即当SRAM芯片在累积总剂量辐照实验中与瞬时剂量率辐照实验中写入的数据类型相同时,该数据类型的瞬时剂量率敏感性增大,更容易发生翻转.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学核科学与技术学院	35	120	5.0	10.0
2	李俊霖		1	0	0.0	0.0
3	李瑞宾		1	0	0.0	0.0
7	齐超		1	0	0.0	0.0
8	刘敏波		1	0	0.0	0.0
9	刘岩		1	0	0.0	0.0