TiO2材料(100)典型晶面的形成与电子结构的研究

• 作者: 余小英 唐文翰 房慧 李凡生 王如志
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2 低维 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 611-615,626
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.04.008

摘要

在超软赝势密度泛函理论基础上计算分析了TiO2基(100)晶面低维材料的形成、电子结构和光学性质.结果表明,TiO2基(100)晶面低维材料的形成焓大于TiO2块体材料的形成焓,其稳定性比TiO2块体材料低.TiO2基(100)晶面低维材料带隙为2.760 eV,高于其体材料,其带隙为间接型.其价带顶和导带底主要分别由O p电子和Ti d电子形成,并且Ti的d电子和O的p电子在-2.5 eV处有局域作用.TiO2基(100)晶面低维材料电子局域化程度增大,Ti和O之间的离子性结合程度增强.TiO2基(100)晶面低维材料在140.8 nm处有最强的反射峰,其反射系数达23.9％,其在34.5 nm处有强的选择性吸收,并且在33.3 nm和138.9 nm处有最强的能量损失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王如志	北京工业大学材料科学与工程学院	48	136	6.0	10.0
2	余小英	广西民族师范学院物理与电子工程学院	35	51	4.0	6.0
3	李凡生	广西民族师范学院物理与电子工程学院	41	60	4.0	6.0
4	唐文翰	广西民族师范学院物理与电子工程学院	11	17	2.0	4.0
5	房慧	广西民族师范学院物理与电子工程学院	26	22	2.0	4.0