北京第三代半导体产业发展思路的研究

• 作者: 卢晓威 张倩 顾瑾栩
• 来源期刊: 集成电路应用
• 关键词: 第三代半导体 宽禁带半导体材料 碳化硅 氮化镓 功率器件
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 行业分析
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 字数: 9015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.05.001

摘要

第三代半导体是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料,它们拥有高频高效、耐高压、耐高温等特性,是支撑轨道交通、新能源汽车、5G等产业的核心材料和电子元器件.北京市作为我国第三代半导体发展的重镇,具备丰富的科技资源和产业基础,聚集了诸如世纪金光、天科合达、泰科天润等知名生产制造企业.研究并实施北京第三代半导体产业的发展大计,不仅是助推北京市经济结构的优化,更是完善中国第三代半导体产业布局、助推产业成长的重要举措.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张倩		8	18	3.0	4.0
2	顾瑾栩		1	1	1.0	1.0
3	卢晓威		1	1	1.0	1.0