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摘要:
随着集成电路产业的迅速发展,熔丝电路在IC芯片中的应用越来越广泛.为了提高集成电路制造良率,在集成电路设计中通常会大量使用基于熔丝技术的冗余电路.通过对180 nm工艺多晶硅熔丝熔断特性的探索和研究,给出多种尺寸的多晶硅熔丝电熔断特征参考值,可以满足集成电路设计对编程条件和编程后熔丝阻值的不同需求.集成电路设计者通过选择不同的多晶硅熔丝尺寸种类,实现熔丝外围电压电流发生电路的灵活设计,大幅提高180nm工艺多晶硅熔丝设计成功率.通过优化熔丝器件结构、编程条件等参数,实现不同应用需求的熔丝量产.
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关键词云
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文献信息
篇名 深亚微米多晶硅熔丝特性研究
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 熔丝 多晶熔丝 熔断 180nm工艺
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 38-40,43
页数 4页 分类号 TN306
字数 2250字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王燕婷 中国电子科技集团公司第五十八研究所 3 0 0.0 0.0
2 张猛华 中国电子科技集团公司第五十八研究所 9 11 3.0 3.0
3 张继 中国电子科技集团公司第五十八研究所 4 3 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
熔丝
多晶熔丝
熔断
180nm工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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