紫外光和催化剂对GaN电化学特性及CMP速率的影响

• 作者: 于璇 刘旭阳 张保国 杨盛华 考政晓 韦伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 化学机械抛光(CMP) 电化学 抛光速率 紫外光 催化剂
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 半岛体制造技术
• 页码范围: 783-789
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.10.007

摘要

通过电化学和化学机械抛光(CMP)实验研究了紫外光及催化剂对GaN电化学特性及去除速率的影响.电化学实验结果表明,采用K2S2O8作为氧化剂时GaN的腐蚀电位随氧化剂的浓度增大而降低.在H2O2和K2S2O8体系中分别加入ZnO催化剂并进行紫外光照射,其腐蚀电位进一步降低,腐蚀速率加快.CMP结果显示,在H2O2和K2S2O8抛光液体系中,紫外光的加入能有效提高GaN的去除速率;加入ZnO催化剂后,GaN的去除速率进一步提高,当H2O2体积分数为3％、ZnO的质量分数为0.05％时,GaN的去除速率达239.7 nm/h;当K2S2O8体积分数0.15 mol/L、ZnO的质量分数0.05％时,GaN的去除速率为428.0 nm/h,此时GaN表面粗糙度为1.18 nm.紫外光照射和ZnO催化剂能够明显提高CMP过程中GaN的去除速率.