极低插损的超宽带低温耦合器设计

• 作者: 陈荣飞
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 低温耦合器 插损 耦合度
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: TB661
• 语种: 中文
• DOI: 10.16711/j.1001-7100.2019.06.009

摘要

本文介绍了一种工作温度≤20 K(-253℃)的超宽带低温耦合器的设计方法,采用超宽带对称式耦合器理论设计出2～ 14 GHz超宽带、30 dB的耦合器,针对低温环境影响,采取特殊工艺,实现超宽带低温耦合器工作温度≤20 K.通过ADS仿真软件对其进行仿真并经实测,结果表明,该耦合器具有优良的性能,在11K工作温度下,2～14 GHz全频带内插损≤0.23 dB,耦合度为29.32 ～ 30.76 dB,带内波动≤1.44 dB,端口驻波≤1.3,实测数据与仿真结果具有很好的一致性.