GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升

• 作者: 吴礼群 彭龙新 徐波 林罡 王朝旭 邹雷
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs Ti/Pt/Au栅 耗尽型PHEMT 增强型PHEMT 微波单片集成电路 氢退化 耐氢能力
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: TN43|TN722.3|TN722.7
• 字数: 2679字
• 语种: 中文

摘要

为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚SiN钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性.耗尽型D管的钝化层由150nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h(电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升.为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层SiN钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h(电流还未出现明显下降),满足实际应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭龙新		21	143	7.0	11.0
3	吴礼群		18	103	5.0	10.0
4	林罡		15	107	5.0	10.0
5	徐波		3	6	1.0	2.0
8	邹雷		1	0	0.0	0.0
9	王朝旭		1	0	0.0	0.0