横向双锥快速生长35％DKDP晶体的研究

• 作者: 李国辉 祁英昆 胡国行 胡子钰 蔡序敏 赵元安 郑国宗
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: DKDP晶体 损伤阈值 横向双锥生长 横向受激拉曼散射
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 587-591,597
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 1796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.04.004

摘要

在ICF工程中II类三倍频晶体使用的是含氘量70％DKDP晶体,而70％DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为II类三倍频晶体是很有必要的.采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35％DKDP晶体,按照II类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应(TSRS),并与70％DKDP晶体进行对比.实验结果表明,所生长含氘量35％DKDP晶体比70％DKDP晶体损伤阈值约高1.8倍,而在881.7 cm-1,35％DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70％DKDP晶体高出约23％,70％DKDP晶体的TSRS比35％小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑国宗	中国科学院福建物质结构研究所	6	26	3.0	5.0
2	李国辉	中国科学院福建物质结构研究所	48	468	11.0	20.0
3	赵元安	中国科学院上海光学精密机械研究所	47	315	11.0	15.0
4	蔡序敏	中国科学院福建物质结构研究所	1	0	0.0	0.0
8	祁英昆		2	0	0.0	0.0
9	胡国行	中国科学院上海光学精密机械研究所	5	0	0.0	0.0
10	胡子钰	中国科学院福建物质结构研究所	2	0	0.0	0.0