Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用

• 作者: 孙捷 杨新 王乐 王嘉露 郭伟玲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: p型氮化镓(p-GaN) Ni/Au薄膜 欧姆接触 比接触电阻率 环形传输线法 发光二极管(LED)
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 773-777
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.10.005

摘要

为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层.定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3 nm和5 nm.在400℃、空气氛围下退火1 min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电阻为102 Ω/□,采用环形传输线法测量的比接触电阻率为6.1×10-4 Ω·cm2.薄膜的透过率在478 nm时达到了77.3％.使用该薄膜制备的LED,开启电压为2.5V,在工作电流为20 mA时的工作电压为2.9V,证实了所制备的Ni/Au薄膜可用于制备LED的透明导电层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
2	杨新	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	4	1.0	2.0
3	王嘉露	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	5	4	1.0	2.0
4	王乐	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	孙捷	福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室	2	0	0.0	0.0