功率MOSFET并联主动均流设计与仿真

• 作者: 刘通 崔业兵
• 来源期刊: 导航定位与授时
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 并联 均流 耦合电感 仿真
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 仪表与部件
• 页码范围: 115-122
• 页数: 8页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 4640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19306/j.cnki.2095-8110.2019.05.016

摘要

功率MOSFET并联在低压大电流领域是一种常见而且有效的解决方案.但是,由于MOSFET器件参数、回路寄生参数以及栅极驱动参数的差异性等因素,功率MOSFET器件并联时常常出现电流不均衡现象.通过Multisim仿真,分析了MOSFET器件参数因素以及外围电路特性对并联支路静态和动态电流的影响;根据法拉第电磁感应定律以及磁通约束原理,采用耦合电感的均流方法,在并联的各支路中串入共磁芯耦合线圈,实现了各并联支路的电流平衡;然后,通过建立耦合电感的电路以及数学模型,揭示了串入耦合电感实现均流的数学原理.最后,通过仿真验证了串入耦合电感实现并联功率MOSFET均流方法的有效性与可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔业兵		12	19	3.0	4.0
2	刘通		2	0	0.0	0.0