F频段三倍频放大多功能芯片设计与实现

• 作者: 吴洪江 王雨桐 薛昊东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多功能芯片 微波单片集成电路(MMIC) InP高电子迁移率晶体管(HEMT) F频段 倍频器 放大器
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 762-766,789
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.10.003

摘要

基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片.将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放大的单片集成.前端三倍频器电路由输入匹配电路、输入低通滤波电路、并联二极管对、输出高通滤波电路与输出匹配电路构成,通过反向并联二极管对实现三次倍频,在优化匹配前后级电路的同时,通过输入低通滤波器与输出高通滤波器滤除三次谐波外的基波与各次谐波.后端所级联的驱动放大器采用四级管芯级联的双电源拓扑结构来提高增益及输出功率.测试结果表明,输入频率为30 ～ 47 GHz、输入功率为15 dBm时,输出频率为90～ 141 GHz,输出功率大于6 dBm,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-6 dB.芯片尺寸为4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	薛昊东	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0
3	王雨桐	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	10	2.0	3.0