CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究

• 作者: 张敏 曾体贤 杨辉 熊智慧 肖飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe 纳米晶薄膜 光敏特性
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 567-571
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.04.001

摘要

硒化镉(CdSe)是一种光电性能优异的II-VI族化合物半导体.采用真空热蒸发技术在Si(100)衬底上制备出高质量的CdSe纳米晶薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、膜厚测试仪、扫描电镜(SEM)和数字源表对其结晶性能、晶体结构、表面形貌及光敏特性进行了表征.结果显示,CdSe纳米晶薄膜呈六方纤锌矿结构,纯度较高,结晶性能较好,沿c轴择优生长的优势明显;同时,薄膜具有典型的光敏电阻特性,且电阻值受光照强度、退火温度影响明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾体贤	西华师范大学物理与空间科学学院	47	165	5.0	12.0
2	杨辉	西华师范大学物理与空间科学学院	20	18	3.0	3.0
3	张敏	西华师范大学物理与空间科学学院	54	134	7.0	10.0
4	熊智慧	成都师范学院物理与工程技术学院	8	8	1.0	2.0
8	肖飞	西华师范大学物理与空间科学学院	3	3	1.0	1.0