Cu过量对Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响

• 作者: 严辉 侯小虎 刘飞 张铭 白朴存 赵学平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CuAlO2薄膜 射频磁控溅射 光电性能
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 633-640
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 5595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.04.012

摘要

以单相多晶Cu1+x Al1-x O2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+x Al1-x O2薄膜的结构与光电性能.结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu1+x Al1-x O2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55％,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu1.04 Al0.96 O2的室温电导率最高,为1.22×10-2 S/cm;在近室温区(200～300 K),退火态薄膜均很好地符合Arrhenius热激活模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院	178	1225	16.0	29.0
2	侯小虎	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	42	83	5.0	7.0
3	白朴存	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	71	225	8.0	13.0
4	张铭	北京工业大学材料科学与工程学院	44	107	6.0	8.0
5	赵学平	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	5	1	1.0	1.0
6	刘飞	内蒙古工业大学材料科学与工程学院	28	18	2.0	3.0