单晶锗脆塑转变纳米划痕实验研究

• 作者: 余证 刘浩 杨晓京 赵彪
• 来源期刊: 有色金属工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶锗 脆塑转变 临界深度 临界载荷 变载荷纳米划痕实验 恒定载荷纳米划痕实验
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料制备与加工
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TG113.26+4|TH142.3
• 字数: 3254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1744.2019.06.003

摘要

为控制单晶锗脆塑转变临界状态,基于公式对单晶锗脆塑转变时的临界载荷进行了预测,采用纳米压痕仪对单晶锗(110)晶面进行了变载荷纳米划痕实验和恒定载荷纳米划痕实验,分析得到单晶锗(110)晶面发生脆塑转变时的临界状态,并借助原子力显微镜(AFM)对实验表面进行扫描表征.结果 表明,单晶锗(110)晶面在变载荷纳米划痕实验下发生脆塑转变的临界载荷和临界深度分别为41.4 mN、623 nm;单晶锗(110)晶面在恒定载荷纳米划痕实验下发生脆塑转变的临界载荷和临界深度分别为30～50 mN、500～900 nm,验证了变载荷纳米划痕实验结果的正确性.根据变载荷纳米划痕实验结果修正了单晶锗(110)晶面在固定实验参数下发生脆塑转变临界深度理论计算公式,为分析单晶锗微纳米尺度塑性域切削提供数据支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓京	昆明理工大学机电工程学院	115	997	17.0	28.0
2	刘浩	昆明理工大学机电工程学院	8	13	2.0	3.0
3	余证	昆明理工大学机电工程学院	5	0	0.0	0.0
4	赵彪	昆明理工大学机电工程学院	3	3	1.0	1.0