单层金属卤化物CoX2(X=Cl、Br、I)可调能隙和磁性研究

• 作者: 陈红霞
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属卤化物 二维材料 可调能带 可调磁性
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 644-648
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 3003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.04.018

摘要

本文采用密度泛函理论系统的研究了二维单层金属卤化物CoX2(X=Cl,Br,I)的结构稳定性、电子性质和磁性质.三种卤化物的束缚能分别是9.01、8.04和6.95 eV,表明Co原子和卤素原子间存在强相互作用.三种材料的能带结构都显示了间接带隙半导体特性.三种材料的总磁矩都是3 mB,主要来源于Co原子的磁矩.为了实现对材料物性的调控,我们考虑了双轴应变.发现压缩应变不仅可以显著增强铁磁态的稳定性,还可以实现体系从间接带隙半导体向直接带隙半导体的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈红霞	盐城师范学院新能源与电子工程学院	38	116	5.0	8.0