基于SiC基底的Y2O3/Al2O3堆栈MOS 电容的特性研究

• 作者: 吴煜东 李诚瞻 贾仁需 赵艳黎 陈喜明
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MOS电容 高k介质 Y2O3/Al2O3堆栈 C-V特性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TM53
• 字数: 3403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.01.003

摘要

通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y2O3介质和Al2O3,形成金属/Al2O3/Y2O3/SiC高k介质堆栈结构MOS电容.X射线光电子能谱(XPS)分析研究Al2O3/Y2O3堆栈结构氧化层介质之间以及氧化层与SiC晶圆之间的相互扩散和反应关系;研究不同金属电极MOS电容的C-V特性,Ni电极MOS电容具有良好的稳定性,对介质层的相对介电常数影响最小,Mg电极MOS电容的理想平带电压最小,同时氧化层陷阱密度最小;随着C-V测试频率的降低,氧化层电容Cox逐渐增加,Al2O3/Y2O3介质层的相对介电常数逐渐增大,等效氧化层厚度(EOT)减小,平带电容电压减小.