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摘要:
本文对GaN基InGaN/GaN多量子阱结构、蓝紫光发光二极管(light-emitting diode,LED)的电流噪声进行了测试,电流测试范围为0.1—180 mA.根据电流噪声的特点,结合LED中载流子之间的产生-复合机制,探讨了电流注入下LED中载流子的产生与复合机制和低频噪声产生的机理.结论表明,随着电流从0.1 mA逐渐增大到27 mA,LED中的电流噪声具有低频产生-复合(generation-recombination,g-r)噪声的特性;当电流逐渐增大到50 mA及以上时,电流噪声的行为接近1/f噪声.采用电子元器件中公认的电流噪声模型,拟合了低频电流噪声功率谱密度与频率之间的关系,结合LED中载流子的输运机理和复合机制,从理论上分析了LED在电流注入时g-r噪声幅值和转折频率的变化规律.本文的结果提供了一种检测和表征多量子阱结构蓝紫光LED在电流逐渐增大过程中发光机制转变的有效手段,为提高其发光量子效率提供理论依据.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 蓝紫光发光二极管中的低频产生-复合噪声行为研究
来源期刊 物理学报 学科
关键词 低频噪声 发光二极管 产生-复合噪声 复合机理
年,卷(期) 2019,(12) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 273-278
页数 6页 分类号
字数 3437字 语种 中文
DOI 10.7498/aps.68.20190189
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许天旱 西安石油大学材料科学与工程学院 46 89 5.0 6.0
2 王党会 西安石油大学材料科学与工程学院 39 70 5.0 6.0
传播情况
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2019(0)
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研究主题发展历程
节点文献
低频噪声
发光二极管
产生-复合噪声
复合机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
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