CO2活化对聚硅氧烷裂解SiC衍生炭孔结构的影响

• 作者: 代晓青 张波 段力群 王波 董璐 马林建 马青松
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: 聚硅氧烷 碳化硅 碳化硅衍生碳 孔结构 CO2活化
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 367-372
• 页数: 6页
• 分类号: TQ127.1+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.1016/S1872-5805(19)60019-3

摘要

经聚硅氧烷裂解转化得到碳化硅粉体,然后对其进行氯化处理得到炭,再通过CO2活化处理得到具有高比表面积(1 316.8 ～1 929.0 m2 ·g-1)的微孔炭(SiC-DC)材料.研究了CO2活化温度、时间对SiC衍生多孔炭结构的影响.采用氮气吸附法、X-ray衍射光谱(XRD)、扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)等技术对SiC-DC样品微观结构随活化温度、时间演变进行表征分析.结果 表明,CO2活化处理可以有效调控SiC-DC的孔结构,而对其结晶性影响很小,且活化处理后样品保持着SiC粉体或未活化SiC-DC样品的原有形态和微观结构(如石墨带).对于已活化SiC-DC样品,比表面积(SSA)、总孔容(Vtot)及微孔孔容都随活化温度、时间增加而增加,但同时活化产率逐渐降低.相比未活化样品,SiC-DC在950℃条件下活化处理2h后,SSA和Vtot值分别增加了46.5％、86.4％,主要原因是经活化处理,微孔孔容明显增加.