CFETR TF导体的管内压降分析

• 作者: 任勇 刘小刚 李君君 温兴毫 王东全 王兆亮 高翔
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: CFETR 管内电缆导体 摩擦系数 多孔介质模型
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TB126|TM26
• 语种: 中文
• DOI: 10.16711/j.1001-7100.2019.07.008

摘要

目前管内电缆导体(CICC)压降的实验结果都是高空隙率(～35％)下测得的,而CFETR纵向场(Toroidal Field,TF)导体的设计偏向于较小的空隙率(～29％),压降实验数据方面的短缺,使得需要重新考虑目前Katheder关系式能否用于CFETR TF的压降估算.在CFETR TF导体的压降分析中,分别采用了修正的Katheder关系式和多孔介质模型对导体的压降进行比较,获得了更为保守的压降预测.