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摘要:
通过非对称电压补偿方法研究了FFS模式下的残像现象.实验结果表明在不更换盒内材料的情况下,非对称电压补偿可以快速有效地改善残像问题.同时研究了不同的材料、不同的像素结构对应的实际补偿电压.结果 显示随着配向膜电阻的增加,补偿电压有增大趋势(0.1V到0.3V),正负性液晶以及不同像素结构(公共电极层分别位于最上层和中间层,Top/Mid com)呈相反趋势(+0.3V和-0.3 V),且不同于以往的研究,最终的残像结果负性液晶好于正性液晶.不同的彩膜平坦化层材料对应的补偿电压也有较明显差异.研究为FFS液晶显示模式残像的快速改善提供了参考.
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文献信息
篇名 FFS液晶显示模式下残像的非对称电压补偿研究
来源期刊 光电子技术 学科 工学
关键词 残像 边缘场切换技术 挠曲电效应
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 285-288
页数 4页 分类号 TN141.9
字数 语种 中文
DOI 10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.04.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 时成瑛 1 0 0.0 0.0
2 蔡敏 1 0 0.0 0.0
3 傅炯樑 1 0 0.0 0.0
4 王一明 1 0 0.0 0.0
5 秦丹丹 1 0 0.0 0.0
6 夏志强 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
残像
边缘场切换技术
挠曲电效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子技术
季刊
1005-488X
32-1347/TN
16开
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
1981
chi
出版文献量(篇)
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