图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响

• 作者: 唐兰香 甘琨 白欣娇 盛百城 袁凤坡
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 图形化蓝宝石衬底 (PSS) 金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 外延 表面处理
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 374-378
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.009

摘要

采用预铺Ga或NH3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底 (PSS) 表面, 然后外延生长了GaN薄膜, 研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响.结果显示, PSS经过预铺Ga后生长的GaN薄膜具有平滑的表面和清晰平直的原子台阶, 且位错密度最低;氮化后生长的GaN薄膜原子台阶较宽, 螺型位错密度较低;衬底未经表面处理生长的GaN薄膜, 原子台阶模糊, 位错密度最高;同时, 与氮化或未经预处理的方法相比, 经过预铺Ga的方式预处理PSS表面后生长的GaN薄膜残余应力最小.分析认为, 预铺Ga、氮化等方式处理衬底表面, 改变了PSS微结构, 有利于生长表面平滑、晶体质量高、残余应力小的GaN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛百城	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	3	1.0	1.0
2	白欣娇	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	1	1.0	1.0
3	唐兰香	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0
4	甘琨	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0
5	袁凤坡	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	16	2.0	3.0