GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

• 作者: 高渊
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs通孔刻蚀 微掩模 聚合物
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-39,44
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0710

摘要

通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连.在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响.微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性.分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高渊	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	5	2.0	2.0