n型双面TOPCon太阳电池钝化技术

• 作者: 于威 于波 刘克铭 史金超 庞龙 李锋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿氧化物钝化接触 (TOPCon) 太阳电池 选择性钝化接触 隧穿氧化层 多晶硅 双面太阳电池
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 368-373
• 页数: 6页
• 分类号: TN305|TM914
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.008

摘要

隧穿氧化物钝化接触 (TOPCon) 技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一.报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术, 对前表面SiO2/多晶硅钝化层进行了优化设计.为了有效降低接触电阻, 太阳电池的背表面采用了全面积SiO2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收, 仅将SiO2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部.J-V特性和少子寿命等分析显示, 双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能, 其开路电压和短路电流密度显著增加.所制备的面积为239 cm2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33％, 相对正面无SiO2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散 (PERT) 结构的太阳电池转换效率提升了0.29％.