2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究

• 作者: 侯鹏飞 宋宏甲 李波 王金斌 钟向丽 高占占
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储单元 单粒子翻转 单粒子瞬态脉冲
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 低维铁电材料与器件
• 页码范围: 76-83
• 页数: 8页
• 分类号: TN4
• 字数: 3608字
• 语种: 中文

摘要

针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射外围电路中的板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,这主要是因为外围电路产生的单粒子瞬态脉冲造成数据读出出错,进而导致了回写数据翻转.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金斌	湘潭大学材料科学与工程学院	37	88	5.0	8.0
2	钟向丽	湘潭大学材料科学与工程学院	25	30	3.0	5.0
3	李波	湘潭大学材料科学与工程学院	11	2	1.0	1.0
4	高占占	湘潭大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
5	侯鹏飞	湘潭大学材料科学与工程学院	8	1	1.0	1.0
6	宋宏甲	湘潭大学材料科学与工程学院	10	2	1.0	1.0