基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模

• 作者: 刘逸哲 薛佳男 高建军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等效电路 参数提取 非线性电容 射频MOSFET Statz模型
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 362-367,373
• 页数: 7页
• 分类号: TN325.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.007

摘要

研究了Statz模型对于表征射频 (RF) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 器件特性的适用情况, 并提出了一个MOSFET非线性电容改进模型.对英飞凌公司生产的规格为4×0.6μm×18 (栅指数×栅宽×元胞数) 、栅长为90 nm的MOSFET进行S参数实验测量.经过去嵌剥离所有寄生元件后, 在多个偏置条件下分别使用小信号等效电路模型提取出MOSFET非线性栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd的数据;对比了传统Statz模型以及改进模型的仿真结果与实验测量数据的相对误差.仿真结果和误差分析表明改进模型与实验测量数据吻合很好, 在大部分工作范围内误差控制在5％以下, 证明改进模型适用于表征MOSFET的非线性电容特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	华东师范大学信息科学与技术学院	24	42	3.0	5.0
2	薛佳男	华东师范大学信息科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
3	刘逸哲	华东师范大学信息科学与技术学院	1	0	0.0	0.0