铁电场效应晶体管及其反相器的TCAD模拟研究

• 作者: 唐明华 毛燕湖 燕少安 王冬 肖永光
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: FeFET FeCMOS 反相器 电学性能 TCAD仿真
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 低维铁电材料与器件
• 页码范围: 66-75
• 页数: 10页
• 分类号: TN384
• 字数: 2565字
• 语种: 中文

摘要

以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射和非挥发性等优点,在航空航天以及民用消费电子中都有广阔的应用前景.但是,对于由FeFET构成的同时具有逻辑功能与存储功能的门电路(Ferroelectric Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,FeCMOS),目前的研究工作还相对较少.用FeCMOS作为铁电存储器的外围读写电路,理论上可以大大增强其抗辐射能力.因此,该文以金属-铁电层-绝缘层-半导体(Metal gate-Ferroelectric layer-Insulation layer-Semiconductor,MFIS)结构的FeFET为研究对象,利用TCAD(Tech-nology Computer Aided Design)软件中的器件电学性能仿真模块,在不同器件参数下对FeFET及其构成的FeCMOS反相器进行了细致的电学性能模拟仿真.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐明华	湘潭大学材料科学与工程学院	19	101	4.0	10.0
2	燕少安	湘潭大学机械工程学院	2	1	1.0	1.0
3	毛燕湖	长江师范学院电子信息工程学院	3	0	0.0	0.0
4	王冬	湘潭大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0
5	肖永光	湘潭大学材料科学与工程学院	2	9	1.0	2.0