双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真

• 作者: 张瑞英 李晓 赵岳 郭春扬
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 温升 InGaAsP /InGaAsP 多量子阱(MQW) 双沟道 脊型 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 356-361,373
• 页数: 7页
• 分类号: TN365
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.006

摘要

采用二维有限元法(FEM) 模拟了激射波长为1 550 nm 的InGaAsP /InGaAsP 多量子阱(MQW) 双沟道脊波导(DCRW) 激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度、Au层厚度和石墨烯填充对激光器散热的影响.模拟结果表明,上述参数均对激光器的有源区温度和热分布产生影响.当没有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度减少而提高; 当有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度和石墨烯厚度增加而提高.采用AlN 钝化层、Au 层加厚和石墨烯填充优化的激光器结构,其温升比传统结构激光器的温升低6 ℃.该结果为设计制备In-GaAsP /InGaAsP 激光器改善其散热性能提供指导,可为其他InP 基光子集成回路改善热性能提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓	上海大学材料科学与工程学院	192	3933	35.0	55.0
3	张瑞英	中国科学院多功能材料与轻巧系统重点实验室	14	115	5.0	10.0
6	赵岳	上海大学材料科学与工程学院	10	12	2.0	3.0
7	郭春扬	上海大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0