基于喷墨打印的In2 O3/IGZO TFT的电学性能

• 作者: 崔铮 梁坤 罗慢慢 谢建军 赵建文 邵霜霜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶铟镓锌氧化物(IGZO) 喷墨打印 In2O3 异质结沟道层 薄膜晶体管(TFT)
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 349-355
• 页数: 7页
• 分类号: TN321.5|TN386
• 语种: 中文

摘要

利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO) 薄膜、铟氧化物(In2O3) 薄膜和性能明显改善的双层In2O3 /IGZO 异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性.结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度; 嵌入的In2O3层薄膜能减小IGZO 与In2O3间的界面缺陷,明显提高In2O3 /IGZO 薄膜晶体管(TFT) 的性能及其偏压稳定性.随着IGZO 中In 含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In2O3与 IGZO 间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In 的比例有利于获得较高器件性能的In2O3 /IGZO 异质结沟道TFT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢建军	上海大学材料科学与工程学院	40	103	6.0	8.0
2	赵建文	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心	4	4	1.0	2.0
3	梁坤	上海大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
7	邵霜霜	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心	1	0	0.0	0.0
8	罗慢慢	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心	1	0	0.0	0.0