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摘要:
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高压开关组件.通过串联20只1 kV的RF MOSFET单元电路,获得耐压10 kV以上的高速、高重复频率的开关组件.开展了高压开关组件的结构设计和1 kV的RF MOSFET单元电路设计及散热设计.利用开关组件进行了10 kV脉冲源实验装置设计,测试结果发现脉冲前沿较仿真结果变缓.
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特点
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 10kV高重频开关组件设计
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 高压开关组件 高重复频率 高速 串联电路 散热设计
年,卷(期) 2019,(2) 所属期刊栏目 微电子、微系统与物理电子学
研究方向 页码范围 343-347
页数 5页 分类号 TN788
字数 2409字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA201902.0343
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨周炳 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波重点实验室 30 181 9.0 11.0
2 丁恩燕 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波重点实验室 16 44 5.0 5.0
3 任先文 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波重点实验室 18 306 6.0 17.0
4 梁勤金 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波重点实验室 19 71 5.0 7.0
5 石小燕 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波重点实验室 17 66 5.0 7.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
高压开关组件
高重复频率
高速
串联电路
散热设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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7
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11167
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