X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响

• 作者: 刘新宇 张学文 李博 李彬鸿 王磊 罗家俊 袁清习
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 发光二极管 可见光通讯 X射线 重离子 辐射效应 位移损伤
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 3798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2019.06.001

摘要

针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二极管阈值电压和发光功率随Si粒子注量的变化规律.对比研究结果指出,相比于辐射电离效应,辐射引起的位移效应、热峰效应和载流子移除效应是影响发光二极管特性的主要因素;重离子辐照对发光特性的影响早于电学特性,且辐射主要引起发光二极管色坐标Y分量的变化.