SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应

• 作者: 于庆奎 吕贺 唐民 孙毅 张洪伟 曹爽 李晓亮 李鹏伟 梅博 王贺 魏志超
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 肖特基二极管 单粒子效应 单粒子烧毁,单粒子锁定
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: TN406|V416.5
• 字数: 2493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.010602

摘要

在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验.结果 表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效.分析认为,肖特基结局部被重离子破坏,形成漏电通路,造成SiC二极管漏电流增大,直至发生单粒子烧毁.