压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响

• 作者: 庄仕伟 张宝林 徐佳新 徐德前 李国兴
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaSb/GaAs量子点 各向异性 IMF生长模式 MOCVD
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194001.0017

摘要

采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs(001)衬底上制备GaSb量子点,研究了反应室压强对改善GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响.通过Sb表面处理方法,在GaAs衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配(IMF)生长模式对GaSb量子点诱导生长.用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征,结果表明GaSb量子点形貌各向异性明显且沿[110]方向拉长.在压强条件为10 kPa时,IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3,由于低能量(111)侧面的存在,GaSb量子点优先沿[110]方向生长而不是与之垂直的[110]方向.压强降低至4 kPa时量子点密度增大为8.3×109 cm-2,量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1.低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度,可以有效改善GaSb量子点的各向异性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐德前	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
2	庄仕伟	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
3	徐佳新	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
4	张宝林	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
5	李国兴	集成光电子学国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院	1	1	1.0	1.0