一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析

• 作者: 刘虹宏 高炜祺
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 高压PMOS器件 低剂量辐照 PMOS版图 漏源击穿电压
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 其它
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: V474
• 字数: 1443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2019.02.014

摘要

对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析y射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响.文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化.研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高炜祺	中国电子科技集团公司第二十四研究所	5	9	2.0	3.0
2	刘虹宏	中国电子科技集团公司第二十四研究所	2	0	0.0	0.0