低温度系数低功耗带隙基准的设计

• 作者: 侯汇宇 吴庆 李富华 黄君山
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压 PTAT电流 CTAT电流 温度系数
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0607

摘要

对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4 μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路.通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真,结果表明该带隙基准源典型的温度系数为2×10-6/℃,功耗为5.472 μW,基准电压为1.32 V,电源抑制比为83.5 dB,实现了低温度系数、低功耗特性,且电路工作稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李富华		27	138	7.0	10.0
2	吴庆		1	0	0.0	0.0
3	黄君山		1	0	0.0	0.0
4	侯汇宇		1	0	0.0	0.0