千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究

• 作者: 丁晓明 应贤炜 杨建 梅海 王佃利 黄乐旭
• 来源期刊: 现代雷达
• 学科: 工学
• 关键词: 硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 76-82
• 页数: 7页
• 分类号: TB385|TN386.1
• 字数: 4418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16592/j.cnki.1004-7859.2019.09.017

摘要

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W.在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100 μs、占空比为20％、输入功率为6W的测试条件下,实现输出功率达到1 330W,增益23.5 dB,漏极效率74.4％,电压驻波比10∶1.该晶体管已实现工程应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王佃利		13	58	4.0	7.0
2	丁晓明		8	20	3.0	4.0
3	杨建		3	0	0.0	0.0
4	黄乐旭		1	0	0.0	0.0
5	应贤炜		1	0	0.0	0.0
6	梅海		3	0	0.0	0.0