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用于高压ESD防护的高维持电流SCR器件
用于高压ESD防护的高维持电流SCR器件
作者:
乔明
曹厚华
梁龙飞
肖家木
齐钊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ESD防护
SCR
高维持电流
闩锁效应
摘要:
静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节.随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对ESD也变得越来越敏感.为了用尽可能小的版图面积来实现ESD防护,利用晶闸管结构(SCR)来实现集成电路的ESD防护已成为当下的研究热点.但传统SCR的维持电压和维持电流都很低,若直接将其应用于电源ESD防护则会导致严重的闩锁效应(latch-up).基于高维持电流设计窗口,提出一种可用于15V电路的抗闩锁SCR器件,并通过混合仿真验证了该器件的有效性.
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失效电流
维持电压
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内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR设计
LVTSCR
静电放电
闩锁效应
维持电压
EP-LVTSCR
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相关文献总数
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文献信息
篇名
用于高压ESD防护的高维持电流SCR器件
来源期刊
电子与封装
学科
工学
关键词
ESD防护
SCR
高维持电流
闩锁效应
年,卷(期)
2019,(5)
所属期刊栏目
微电子制造与可靠性
研究方向
页码范围
45-48
页数
4页
分类号
TN406
字数
1974字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
乔明
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
35
178
8.0
12.0
5
齐钊
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
2
3
1.0
1.0
6
肖家木
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
1
2
1.0
1.0
7
梁龙飞
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
1
2
1.0
1.0
8
曹厚华
电子科技大学广东电子信息工程研究院
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2020(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
ESD防护
SCR
高维持电流
闩锁效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
广东省自然科学基金
英文译名:
Guangdong Natural Science Foundation
官方网址:
http://gdsf.gdstc.gov.cn/
项目类型:
研究团队
学科类型:
期刊文献
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