金百泽&中科院产学研合作成果获中国专利优秀奖

• 来源期刊: 印制电路资讯
• 学科: 物理学
• 关键词: 中国专利 中国科学院高能物理研究所 产学研合作 中科院 国家知识产权局 中子成像 径迹探测 医疗领域
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 85-85
• 页数: 1页
• 分类号: O572.1

摘要

2018年11月23日,国家知识产权局公布了第二十屆中国专利奖评审结果。其中,金百泽发明专利《一种大面积厚GEM的制作工艺》,荣获中国专利优秀奖。专利是金百泽与中国科学院高能物理研究所共同研发的技术成果,可广泛应用于VUV/UV成像及预测、宇宙线探测、X射线/医疗和中子成像、径迹探测、TPC/数字量能器采样读出单元等高能物理、核物理及医疗领域。