基于离子注入片的单片外延炉温度研究

• 作者: 任凯 徐卫东 肖健 袁夫通
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 8英寸IC外延 温度 离子注入片
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1864字
• 语种: 中文

摘要

精准的温度控制是IC外延的关键,基于8英寸离子注入片,对影响单片外延炉温度的关键因素进行了研究.实验结果表明改变OFFSET参数,外延炉边缘温度随△T同步变化,中心和R/2处温度没有影响;中心热电偶安装位置每降低254 μm,外延炉温度整体升高10℃;异常PID参数设置导致的升温曲线过冲,影响外延炉实际温度.实验数据量化了相关参数与外延炉温度变化的对应关系,为IC外延产品的温度管控提供了依据,提升了单片硅外延平台的标准化和产业化水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任凯		2	0	0.0	0.0
2	肖健		2	0	0.0	0.0
3	袁夫通		2	0	0.0	0.0
4	徐卫东		1	0	0.0	0.0