基于V93000系统的高速QDR SRAM存储器测试方法

• 作者: 王征宇 马锡春
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 四倍数据速率静态随机存取存储器 附加存储器测试 测试向量
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 通用测试
• 页码范围: 12-17
• 页数: 6页
• 分类号: TP333
• 字数: 2100字
• 语种: 中文

摘要

为满足当今的高速网络中高带宽、高密度存储器要求,四倍数据速率静态随机存取存储器(QDR SRAM)广泛应用于路由器、交换机、集成器、网络卡等互联网设备中.QDR SRAM在双倍数据速率存储器(DDR)的基础上,具有独立的数据输入端口和数据输出端口,在脉冲信号的上升沿和下降沿都可以处理数据资料,读写控制、读写地址分离,与DDR相比操作起来更简便.但同时QDR因其数据传输速率高、存储容量较大,使得如何对其性能进行精确评价成为存储器类器件测试的一个亟待解决的难题.文中以GSI公司的GS81302D37GE-300I型芯片为例,介绍了一种基于爱德万公司V93000测试系统进行高速QDR SRAM电路测试的方法,依托V93000测试系统的可编程阻抗匹配特性及存储器专用测试软件包等对其性能进行高效、准确地评价,以满足高速QDR SRAM各项指标的评估要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王征宇		2	0	0.0	0.0
2	马锡春		2	0	0.0	0.0