射频溅射功率对室温沉积AZO薄膜性能的影响

• 作者: 仲召进 姚婷婷 崔介东 彭寿 曹欣 石丽芬 韩娜 马立云 高强
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: AZO薄膜 直流射频耦合 表面形貌 电学性能 光学性能
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TB34|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.01.09

摘要

本文采用直流射频耦合磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将射频电源功率从0W增加到到200W.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能.研究结果表明,直流射频耦合磁控溅射可以在室温下制备性能优异的AZO薄膜,且射频溅射功率对AZO薄膜光电性能有显著的影响,随着射频功率的提高,AZO薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化.在射频功率为200W时,室温制备的AZO薄膜电阻率达到最低5.39×10-4Ω·cm,薄膜平均可见光透过率达到82.6％.