GaAs开关FET功率特性的研究

• 作者: 刘帅 王磊 马伟宾
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 场效应晶体管(FET) 栅极电阻 功率容量 功率压缩
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 110-114
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.02.006

摘要

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础.基于0.15 μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性.通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分析,发现频率下降会降低开关FET的栅压,从而降低开关FET低频下的功率容量.通过增加栅极电阻来提高栅极电压,进而增加开关FET功率容量.最后通过实际的开关电路验证了增大栅极电阻可有效提高开关电路的功率容量,对今后的开关类器件设计工作起到一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	中国电子科技集团公司第十三研究所	76	167	6.0	10.0
2	刘帅	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	21	2.0	4.0
3	马伟宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0