单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究

• 作者: 吴清丽 操节宝 王云波 邹鹏
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 单晶硅 等效2200m/s热中子注量率 双箔活化法 活化截面
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 728-733
• 页数: 6页
• 分类号: TL99
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2018.youxian.0631

摘要

由于活化箔材料和单晶硅目标核素的活化截面随中子能量的变化曲线形状不同,导致等效2200 m/s热中子注量率的活化箔法确定值与单晶硅目标活化率的对应值存在一定的偏差.为研究活化截面的变化差异对测量的影响,对热中子活化截面均服从1/v规律,但共振积分和2200 m/s热中子活化截面的比值相差较大的Zr箔和CoAl箔进行了测量比较.结果表明,由于超热中子对前者的活化率贡献更大,导致Zr箔确定的值明显高于CoAl箔的值,活化截面的变化差异对测量结果有显著影响.为消除该影响,采用通过两种活化箔确定的值和Stoughton-Halperin约定关系式建立方程组的方法,确定了与单晶硅目标活化率对应的等效2200 m/s热中子注量率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王云波		6	1	1.0	1.0
2	操节宝		8	1	1.0	1.0
3	邹鹏		7	1	1.0	1.0
4	吴清丽		4	1	1.0	1.0