B位取代CaBi2Nb2O9陶瓷微观结构与电学性能对比研究

• 作者: 彭志航 曹峰 邢星河
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: B位取代 掺杂效应 氧空位 电性能
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: “第十七届全国电介质会议暨第十九届全国电子元件会议” 论文专栏
• 页码范围: 56-63
• 页数: 8页
• 分类号: TB34
• 字数: 5618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.04.009

摘要

CaBi2Nb2O9(CBN)陶瓷居里温度高达940℃,为高温压电应用提供了必要条件.可能起施主作用的Cr,Mo,W,Sb掺杂离子被引入到CaBi2 Nb2 O9(CBN)陶瓷的晶格中.对掺杂陶瓷的微观结构和电学性质进行了对比研究.SEM图像表明,掺杂的CBN基陶瓷,特别是CBN-W陶瓷的晶粒尺寸,均小于纯CBN陶瓷.W掺杂CBN陶瓷晶胞参数和电学性质结果表明,陶瓷中的W元素应为施主掺杂离子W6+.Sb掺杂CBN陶瓷的晶胞体积和电学性质表明,Sb元素在CBN陶瓷中为+5价.+5价Cr,Mo元素存在于陶瓷中,无法形成+6价的原因可能是由于+6价离子半径较小,易产生晶格失配.W掺杂CBN陶瓷在所有组分中具有最高的d 33值,约13 pC/N时.Cr,Mo,Sb掺杂陶瓷也相对CBN基陶瓷具有更高的压电活性.此外,所有掺杂CBN陶瓷均具有良好的热稳定性、 较高的居里温度和较低的介电损耗,表明Cr,Mo,W,Sb离子是可改善CBN基陶瓷性能的有效掺杂离子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹峰	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	41	517	13.0	20.0
2	邢星河		2	0	0.0	0.0
3	彭志航	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	3	1	1.0	1.0