绝缘衬底上的硅技术SOI发展与应用分析

• 作者: 宁开明
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 智能剥离 射频SOI FDSOI 功率SOI
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 4588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.06.006

摘要

SOI技术作为一种全介质隔离技术,有着许多体硅器件不可比拟的优势,如低功耗(泄漏电流小)、速度快(寄生电容小)、抗干扰强、集成密度高(隔离面积小)等特点.经过几十年的发展,SOI材料的制备技术,直接键合和智能剥离技术成为现阶段的主流技术.SOI元器件的特征尺寸,由1μm跨越到12 nm,得到广泛应用,涵盖射频、汽车电子、电源管理等领域.虽然由于历史原因以及SOI技术本身的一些限制,导致SOI技术没有完全超越传统体硅技术.分析SOI技术的发展历史、材料制备、技术应用、面临的挑战及未来趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁开明		1	0	0.0	0.0