太赫兹倍频器研究进展

• 作者: 宋瑞良 汪春霆
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 倍频器 注入锁定
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 364-367
• 页数: 4页
• 分类号: TN771
• 字数: 2138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201903.0364

摘要

太赫兹CMOS电路具有小型化、与大规模硅基工艺兼容的特点,非常适合未来太赫兹通信以及5G通信的应用.本文以太赫兹CMOS本振电路为切入点,调研了国际和国内的最新CMOS倍频器电路结构,在此基础上,对推推(push-push)倍频器、注入锁定倍频器以及混频倍频器的电路结构和特点进行了详细介绍.通过对以上几种倍频器的分析对比,总结了不同的倍频器在实际应用中的优缺点,为太赫兹射频前端小型化实际应用奠定基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪春霆	中国电子科技集团公司第五十四研究所	28	105	6.0	8.0
2	宋瑞良	中国电子科技集团公司第五十四研究所	5	2	1.0	1.0