退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 周畅 张建华 徐兵 李喜峰 杨祥
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 退火温度 溶液法 薄膜晶体管 WSnZnO
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 209-214
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194002.0209

摘要

通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZ-TO薄膜和TFT器件性能的影响.XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构.W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0.9 nm降低到0.5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85％.同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加.制备的WZTO器件阈值电压由8.04 V降至3.48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐兵		3	6	2.0	2.0
2	周畅		8	27	4.0	4.0