氮化铝粉体制备技术的研究进展

• 作者: 刘元红 刘玉柱 刘荣辉 李楠 蒋周青 薛丽青
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN粉体 制备工艺 纳米粉体 基板材料 碳热还原法
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 577-582,589
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.08.001

摘要

氮化铝(AlN)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景.AlN粉体作为AlN产品的主要原料是决定其性能的关键因素.在对AlN的结构与性能综合分析基础上,系统介绍了当前AlN粉体制备技术的研究进展和应用现状,同时对各制备工艺的特点进行了分析探讨.指出在微米AlN粉体制备方面,碳热还原法和直接氮化法仍具有明显优势,而化学气相沉积法和等离子体法则在纳米AlN粉体制备方面具有良好的应用前景.获得更高纯度、粒度可控、形貌均匀分散的粉体是AlN制备技术的研究方向.