大脉宽高效率S波段功率放大器的研制

• 作者: 时晓航 章勇佳 陈晓青
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 高效率 功率放大器 S波段
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 1417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0611

摘要

采用内匹配的技术,利用了GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的大脉宽、大功率、高效率的功率放大器.放大器最终实现了1 ms脉宽、30％占空比、在600 MHz的带宽下脉冲输出功率大于150W、附加效率大于55％的设计目标,印证了GaN功率器件的优越性能和广泛应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓青		5	9	1.0	2.0
2	章勇佳		1	1	1.0	1.0
3	时晓航		2	1	1.0	1.0